Transistor Irf830 Empaque To-220

$3.700

  • Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500 V
  • Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.5A (Tc)
  • Rds activado (máx.)  Id, Vgs 1,5 ohmios a 2,5 A, 10 V
  • Vgs (th) (Max)  Id 4 V a 250 µA
  • Carga de puerta (Qg) (Max) Vgs 32 nC a 10 V
  • Vgs (máx.) ± 20 V
  • Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) Vds 600 pF a 25 V
Categorías: ,

Descripción

Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM).

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