Transistor Mosfet Irf640
$5.000
- Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
- Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
- Carga de compuerta (Qg): 50 nC
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