Transistor Mosfet Irf510

$5.000

  • Tensión drenaje – fuente 100 V
  • Resistencia drenaje – fuente 0.54 Ω
  • Corriente de drenaje 5.6 A
  • Potencia total de disipación 43 W
  • Voltaje compuerta fuente 4 V
  • Temperatura de operación 175° C

Description

El transistor IRF510 tiene diseño con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad. El empaquetado es TO-220AB es universalmente preferido para todos aplicaciones comerciales-industriales en la disipación de energía de niveles aproximadamente de 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete, contribuyen a su gran aceptación en toda la industria.

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