Transistor Mosfet Irf540

$5.000

  • Voltaje Drain – Source (VDSS): 100V
  • Voltaje Drain – Gate (VDGR): 100V
  • Voltaje Gate – Source (VGS): ± 20V
  • Corriente Drain (ID): 28A
  • Corriente Pulsada en Drain (IDM): 110A
  • Resistencia de Conducción (RDS): 0.077 Ω
  • Potencia Máxima Disipada (PD): 120W
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Description

IRF540 MOSFET Canal N 100V – 28A TO-220, esta diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo de funcionamiento en ruptura de avalancha.

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