Transistor Irf9540n Canal P Potencia Mosfet 23a 100v

$3.000

  • Tensión disruptiva entre drenaje y fuente (Vds): 100 V.
  • Corriente de drenaje continua (Id): 23 A.
  • Polaridad del transistor: Canal-P.
  • Resistencia entre drenaje y fuente (Rds On): 117 mOhms.
  • Tensión entre puerta y fuente (Vgs ): 20V.
  • Disipación de energía: 140W.
  • Temperatura de funcionamiento: -55°C ∼ 175°C.
  • Empaque: TO-220AB.
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Description

Mosfet de potencia canal P con  conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado y baja resistencia. El empaque TO-220AB es preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales con niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 W.

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