Transistor Mosfet Irf840

$4.500

  • Voltaje Drain – Source (VDSS): 500V
  • Voltaje Drain – Gate (VDGR): 500V
  • Voltaje Gate – Source (VGS): ± 20V
  • Corriente Drain (ID): 8A
  • Corriente Pulsada en Drain (IDM): 32A
  • Resistencia de Conducción (RDS): 0.850 Ω
  • Potencia Máxima Disipada (PD): 125W
Categorías: , ,

Descripción

IRF840 MOSFET Canal N 500V – 8A TO-220, esta diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo de funcionamiento en ruptura de avalancha.

Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales
como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia.

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